Грядет эра телефонов с терабайтами памяти

eaffc103

телефон В 2013 году стартап Crossbar продемонстрировал энергонезависимую резистивную память с случайным доступом RRAM, которая неоднократно опережает NAND как по скорости работы, так и по густоте данных.

Теперь организация предоставила лицензию на свежую технологию одному из больших изготовителей памяти.

Грядет эра телефонов с терабайтами памяти

В Институте Райса продемонстрировали, что RRAM можно выполнять при комнатной температуре и сравнительно низком усилии. Вначале пласт диоксида кремния с отверстиями размером 5 hm располагают между 2-мя пластинами из серебра и платины, которые играют в роли электродов. При подведении к приобретенной системе усилия между электродами ставится электрическое объединение, а при изменении полярности — создается разрыв, наводненный кремнием. Докладывается, что резистивная Рэм дает возможность держать в одной ячее памяти 9 бит информации.

RRAM различается невысоким энергопотреблением, почти не нагревается под перегрузкой, а новая модификация действует до 100 раз продолжительнее первых примеров — по словам создателей, она может перенести десятки тысяч циклов перезаписи. Резистивная Рэм до 20 раз стремительней памяти NAND. Как сообщают ученые, ёмкость чипсета габаритом с почтовую марку может добиваться 1 Тбайт, а при повышении числа слоёв насыщенность данных будет ещё выше.

Благодаря новой подготовке в дальнейшем пользователям мобильных телефонов не придётся пенять на неимение автомата для карт памяти в своём телефоне — интегрированный накопитель уместит всю нужную информацию. в 2018 году будут чипсеты RRAM для интегрированных систем (к примеру, рекордных ПК авто), а имя компании, принявшей лицензию на технологию, пока не сообщается.

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *